高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，选用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式对外发布第三代快速（G3
碳化硅MOSFETs产品系列，为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化，
N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载
75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC材料文档.pdf》材料免费下载
近来，国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度改写业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频运用而规划的50A
封装IGBT单管 /
-2封装，具有2个引脚，不只增加了安规间隔，提高了可靠性，并且适用于多种运用场景。
三相MOSFET/IGBT驱动器 /
支撑140亿参数AI模型，229TOPS！英特尔重磅发布第一代车载独立显卡
e2studio开发磁力计LIS2MDL(1)----轮询获取磁力计数据
STM32进行DMA数据转运，为什么只要A组最终一位数据被转运到B组去？
【核桃派ZeroW开发板体会连载】小小气象站 03 aht10、bmp280测验
国产芯上运转TinyMaxi轻量级的神经网络推理库-米尔根据芯驰D9国产商显板
龙芯2k0300先锋派开发板更新到OpenHarmony4.1，运用正点原子的ATK-MD0700R 7寸接触屏时接触没任何呼应
